یک تقویت کننده عملیاتی بهره بالا و ولتاژ پایین بهبود یافته با استفاده از ترانزیستورهای اثر میدان نانو لوله کربنی ( CNTFET)

با کاهش ویژگی اندازه در حوزه نانو، تکنولوژی CMOS با مشکلات و چالش هایی جدی مانند چگالی توان بالا، کاهش کنترل گیت، اثرات کانال کوتاه و حساسیت بالا تغییرات پروسه مواجه شده است. ترانزیستور اثر میدان نانو لوله کربنی (CNTFET) به عنوان یکی از جانشینان احتمالی برای تکنولوژی MOSFET معمولی مبتنی بر سیلیکون می باشد. در این مقاله، طراحی و شبیه سازی تقویت کننده عملیاتی بهره بالا و توان پایین براساس ترانزیستورهای اثر میدان نانو لوله کربنی با نرم افزار HSPICE و تکنولوژی 32 نانومتر CMOS و CNTFET به انجام رسیده است. یک ساختار تقویت کننده عملیاتی جدید مبتنی بر نانو لوله های کربنی پیشنهاد شده و با تقویت کننده عملیاتی CMOS مرسوم مقایسه شده است. مشاهده شد که تقویت کننده عملیاتی مبتنی بر نانو لوله های کربنی عملکرد بالایی در مقایسه با تقویت کننده عملیاتی CMOS دارد. برای طرح پیشنهادی با ولتاژ تغذیه 0/9 ولت، بهره 77/87 دسی بل و فرکانس بهره واحد 7/23 مگاهرتز بدست آمد. با مقایسه طرح پیشنهادی با تقویت کننده مرسوم مشاهده کردیم که بهره در طرح پیشنهادی به اندازه 4/19 دسی بل بهبود یافته و فرکانس بهره واحد نیز به اندازه 1/52 برابر افزایش یافته است.

کلیدواژه ها:

بهره بالا ، تقویت کننده عملیاتی ، توان پایین ، ترانزیستور اثر میدان نانو لوله کربنی ( CNTFET ) ، میکرو توان