بهینه سازی ساختار چهارلایه glass/Al/SnO2/PtMnSb/SnO2 برای بکارگیری در حافظه های مغناطیسی
محل انتشار: شانزدهمین کنفرانس اپتیک و فوتونیک ایران
سال انتشار: 1388
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 1,003
فایل این مقاله در 5 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ICOPTICP16_296
تاریخ نمایه سازی: 18 تیر 1388
چکیده مقاله:
دراین مقاله اثر نیمه رسانای شفاف SnO2 به عنوان لایه پوششی و میانی در ساختار glass/Al/SnO2/PtMnSb/SnO2 با استفاده از یک روش ماتریسی مورد بررسی قرار گرفته است. نتایج نشان دادند که با طراحی مناسب میتوان به چرخش کر حدود درجه، ضریب کیفیت بالا و بیضیگونگی صفر دست پیدا کرد. بهینهسازی این ساختار از دیدگاه صنایع ذخیرهسازی نوری مورد توجه است. با استفاده از شبیهسازی عددی نشان دادیم که در شرایط بهینه پارامترهای مربوط به بازخوانی اطلاعات نسبت به پارامترهای طراحی رفتار نرمی دارند که از نقطه نظر مشکلات معمول در فرایند ساخت قطعه مطلوب است.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
مجید قناعت شعار
تهران، اوین، دانشگاه شهید بهشتی، پژوهشکده لیزر و پلاسما، آزمایشگاه
مهرداد مرادی کاونانی
تهران، اوین، دانشگاه شهید بهشتی، پژوهشکده لیزر و پلاسما، آزمایشگاه
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :