یک ترانزیستور اثر میدان نانوالکترومکانیکی برای کاربردهای با مصرف توان بسیار پایین

در این مقاله، طراحی و شبیه سازی یک ترانزیستور اثر میدان نانوالکترومکانیکی کانال n نوع تخلیه ای در دمای محیط 300k گزارش می شود . این ترانزیستور مبتنی بر تکنولوژی NEMS بوده و کاملا با فرآیندهای ساخت CMOS سازگار میباشد. ترانزیستور اثر میدان نانوالکترومکانیکی NEMFET از ترکیب رله NEM و ترانزیستور MOSFET ساخته شده و دارای یک گیت متحرک و یک بخش نیمه هادی میباشد که مسیر جریان همیشه در بخش نیمه هادی است. گیت متحرک نانومکانیکی به صورت یک باریکه دو سر درگیر BOSS دار توسط نرم افزار COMSOL Multiphysics و بخش الکتریکی توسط نرم افزار SILVACO طراحی و شبیه سازی شده است. ترانزیستور NEMFET طراحی شده دارای طول گیت برابر با 25 nm پهنای 100 nm و ضخامت 5.2nm میباشد. نتایج شبیه سازی نشان میدهند که در این طراحی بهینه شده، با مقایسه نتایج بهدست آمده با یک MOSFET معمولی با ابعاد مشابه، سویینگ زیر آستانه به مقدار 52 mV/dec کاهش یافته و نسبت جریان حالت روشن به خاموش ( ) به مقدار 9 10*2/65 افزایش می یابد

کلیدواژه ها:

ترانزیستور اثر میدان ، رله NEMFET ، NEM ، سیستم های نانوالکترومکانیکی ، NEMS