خواص الکتریکی و مغناطیسی ترکیب فرومغناطیس- ابررسانای Ru(Gd1/5x Prx )Ce0/5Sr2Cu2O10

سال انتشار: 1388
نوع سند: مقاله ژورنالی
زبان: فارسی
مشاهده: 258

متن کامل این مقاله منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل مقاله (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

JR_PSI-9-1_014

تاریخ نمایه سازی: 30 دی 1397

چکیده مقاله:

همزیستی ابررسانایی و نظم مغناطیسی و وجود همزمان آنها در برخی مواد، یکی از مسایل اساسی در فیزیک حالت جامد است. به منظور مطالعه خواص الکتریکی و مغناطیسی،ترکیبات فرومغناطیس-ابررسانایRu(Gd1/5x Prx )Ce0/5Sr2Cu2O10 با 1/0، 60/0، 50/0، 40/0، 330/0، 30/0، 10/0، 0/0= xبه روش واکنش حالت جامد ساخته شدند.نقش پراش XRD برای مقادیر مختلف x خلوص بالای این ترکیبات را نشان میدهد. منحنیهای مقاومت الکتریکی و مغناطیسی در دماهای مختلف و میدانهای مختلف از 0 تا T5/1 اندازه گیری شده اند. پارامترهای ابررسانایی و مغناطیسی از جمله دمای گذار ابررسانایی (Tc) و دمای گذار مغناطیسی (Tirr) از اندازهگیریهای مقاومت الکتریکی به دست می آیند. افت شدید (Tc) با x در Ru(Gd1/5x Prx )Ce0/5Sr2Cu2O10به دلیل رقابت بین شکست جفت توسط ناخالصی مغناطیسی، نفوذ حفره به دلیل تفاوت در ظرفیت یونها،تفاوت در شعاع یونی و میزان (استوکیومتری) اکسیژن میباشد. در جایگذاری Pr به جای Gd، تفاوت کوچک بین شعاع یونی Gd3+ و 4+،Pr3+، باعث کاهش فاصله ممانهای Ru-Ru میشود و در نتیجه برهمکنش تبادلی مغناطیسی، با افزایش میزان x بیشتر میشود. هر دو دمای Tc و Tirr با افزایش میدان مغناطیسی خارجی کاهش می یابند.

کلیدواژه ها:

روتنوکوپرات ، آلایش Pr ، خواص الکتریکی و مغناطیسی ، دمای گذار ابررسانایی و مغناطیسی

نویسندگان

آنا خواجه نژاد

آزمایشگاه تحقیقاتی مغناطیس (MRL)، دانشکده فیزیک، دانشگاه صنعتی شریف، خیابان آزادی، تهران

ندا نیک سرشت

آزمایشگاه تحقیقاتی مغناطیس (MRL)، دانشکده فیزیک، دانشگاه صنعتی شریف، خیابان آزادی، تهران

حنیف هادی پور

آزمایشگاه تحقیقاتی مغناطیس (MRL)، دانشکده فیزیک، دانشگاه صنعتی شریف، خیابان آزادی، تهران

محمد اخوان

آزمایشگاه تحقیقاتی مغناطیس (MRL)، دانشکده فیزیک، دانشگاه صنعتی شریف، خیابان آزادی، تهران