مطالعه اتلافات نوری در لیزر نقطه کوانتومی Ga0.21In0.79As0.46P0.54 /Ga0.47In0.53Asو اثرات آن بر روی چگالی جریان آستانه لیزری
محل انتشار: سومین کنفرانس مهندسی فوتونیک ایران
سال انتشار: 1389
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 1,559
متن کامل این مقاله منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل مقاله (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
PHOTONICS03_009
تاریخ نمایه سازی: 30 آبان 1389
چکیده مقاله:
دراین مقاله اتلافات نوری درونی در لیزرهای نیمه رسانای با ناحیه فعال متشکل از نقاط کوانتمی Ga0.21In0.79As0.46P0.54 /Ga0.47In0.53As مورد مطالعه قرارگرفته است با درنظر گرفتن وابستگی ضریب اتلافات جذب به چگالی حاملین ازاد ناحیه پوشش میانی و اعمال آن در محاسبات مربوط به مشخصه های عملکردی این لیزرها، چگالی جریان استانه لیزری نامتعارفی بالاتر از چگالی جریان اولیه در نتایج مشاهده شد. دراین مقاله مشاهده شده است تا محاسبات مربوط به وابستگی هر دو این چگالی های جریان بطول کاواک لیزری چگالی سطحی نقاط کوانتمی و افت و خیزهای اندازه نقاط با دقت مورد مطالعه و بررسی قرارگیرد.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :