طراحی یک مدار ضربکننده آنالوگ برمبنای حلقه translinear در حالت جریان با توان مصرفی پایین و دقت بالا
سال انتشار: 1399
نوع سند: مقاله ژورنالی
زبان: فارسی
مشاهده: 266
فایل این مقاله در 13 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
JR_TJEE-50-2_002
تاریخ نمایه سازی: 4 آذر 1399
چکیده مقاله:
در این مقاله یک مدار ضربکننده CMOS آنالوگ چهار ربع جدید در حالت جریان که مبتنی بر دو جفت حلقه translinear دوگان میباشد ارائه میگردد. ویژگیهای مهم مدار عبارتند از پهنای باند بالا، توان مصرفی کم و آزادبودن از اثر بدنه،که علت اصلی آن دوگان بودن مدار به این صورت که در هر حلقه translinear دوگان از دو NMOS و دو PMOS استفاده شده است. علاوهبر این، اعوجاج هارمونیک ناشی از ناهمگونی در سیگنالهای ورودی (IX , IY)، پارامترهای هدایت انتقالی(K) و ولتاژ آستانه (Vth) مورد بحث قرار گرفته است که نتایج حاکی از این است که مدار در برابر ناهمگونی بسیار مقاوم میباشد. بهمنظور بررسی عملکرد درست مدار ضربکننده، از آن در دو کاربرد پراستفاده یعنی مدولاتور دامنه و دو برابرکننده فرکانس استفاده شده است که نتایج شبیهسازی آن ارائه شده است. این مدار با استفاده از شبیه ساز HSPICE با مدل TSMC مرحله 49 (BSIM3v3) در تکنولوژی 0.18 میکرومتر استاندارد CMOS طراحی و شبیه سازی شده است. که نتایج حاکی از خطای غیرخطی 0.62 درصد، اعوجاج هارمونیک کل 1/1 در فرکانس 1 مگا هرتز، پهنای باند 1.15 گیگا هرتز و حداکثر توان مصرفی 93.7 میکرو وات میباشد.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
توحید آقایی
باشگاه پژوهشگران جوان و نخبگان - واحد ارومیه - دانشگاه آزاد اسلامی
علی نادری
گروه مهندسی برق- واحد ارومیه- دانشگاه آزاد اسلامی
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :