افزایش ولتاژ شکست ترانزیستورهای با تحرک الکترون بالا بر پایهی نیترید گالیم با استفاده از صفحه میدان

یکی از انواع ترانزیستورهای اثرمیدانی، ترانزیستورهای با تحرک الکترون بالا ( HEMT ) می باشند که در فرکانس های بالاتر از ترانزیستورهای معمولی کار می کنند و در کاربردهای فرکانس بالا استفاده می شوند. اخیرا از بین انواع ترانزیستورهای HEMT ، نوع نیتریدگالیم به دلیل کارایی بالا در سیستم های توان بالا، بیشتر مورد توجه قرار گرفته است. در این مقاله با استفاده از نرم افزار Silvaco ساختاری جدید از HEMT های بر پایه ی نیترید گالیم شبیه سازی گردیده که ولتاژ شکست تا بیش از 1200 ولت بهبود داده شده است.ساختار طراحی شده از عایق و هندسه صفحه میدانی متفاوتی نسبت به سایر مقالات برخوردار می باشد.

کلیدواژه ها:

نیتریدگالیم ، صفحه میدان ، ولتاژ شکست ، ترانزیستورهای با تحرک الکترون بالا