مدل سازی و تحلیل تاثیر ورودی سینوسی بر رفتار متغیر حالت یک مقاومت حافظه دار

در این مقاله برای اولین بار تاثیر منبع ولتاژ سینوسی بر رفتار متغیر حالت یک مقاومت حافظه دار، ممریستور، به صورت عددی و در محیط سیمولینک مدل سازی و تحلیل می شود. نوآوری مقاله در پیاده سازی موضوع در محیط سیمولینک می باشد. برای این منظور، مدل سازی و شبیه سازی معادلات متغیر حالت، ۷، برای تابع پنجره ثابت با ولتاژ ورودی سینوسی با دامنه یک ولت و فرکانس یک هرتز به انجام می رسد. با تغییرات تناوبی ولتاژ ورودی سینوسی، متغیر حالت هم بین صفر تا ده نانومتر به صورت تناوبی تغییر می کند و با تغییر خود مقاومت الکتریکی ممریستور را بین ۱۰۰ و۲۵۰۰ تغییر می دهد که بیست و پنج برابر تغییر را نشان می دهد. برای این مقاومت حافظه دار که از جنس دی اکسید تیتانیوم ساخته شده است، با افزایش فرکانس سینوسی ورودی از یک کیلوهرتز به بالا، تغییرات زمانی متغیر حالت صفر می شود، حلقه هیسترزیس بسته می شود و تغییرات زمانی مقاومت ممریستور نیز صفر می گردد و شبیه یک مقاومت معمولی خطی تغییر ناپذیر بازمان عمل می کند.

کلیدواژه ها:

مقاومت حافظه دار ، ممریستور ، هیسترزیس ، متغیر حالت ، تابع پنجره ثابت ، مدل سازی عددی.