مدار ضرب کننده آنالوگ با توان مصرفی و ولتاژ پایین و فرکانس بالا
محل انتشار: سومین کنفرانس مهندسی برق و الکترونیک ایران
سال انتشار: 1390
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 4,027
فایل این مقاله در 5 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ICEEE03_285
تاریخ نمایه سازی: 18 مهر 1390
چکیده مقاله:
دراین مقاله ضرب کننده آنالوگ CMOS چهار ربعی پیشنهاد شده است که از قانون مربع استفاده می کند همهترانزیستور ها در ناحیه اشباع کار می کنند مدار در تکنولوژی 0/35μM با نرم افزار HSPICE شبیه سازی شده است توان مصرفی مدار 271μW می باشد و با منبع تغذیه 1.2+ کار می کند یکی از ویژگیهای این مقاله استفاده ازدو ترانزیستور MOS می باشد که محدودیت کاهش ولتاژ تغذیه را از بین می برد و منجر به کاهش مصرف انرژی می شود. این مدار دارای پاسخ فرکانس گیگاهرتز می باشد.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
اصغر شاهسوندی
استاد دانشگاه علمی کاربردی واحد نی ریز
محمود آل شمس
هیئت علمی دانشگاه آزاد اسلامی واحد فسا
محسن محمدی زفره
دانشجوی کارشناسی ارشد الکترونیک
ناصر اکرمی نژاد
استاددانشگاه جامع علمی کاربردی واحد نی ریز
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :