طراحی و ساخت یک حسگر مغناطیسی اثر هال با استفاده از نیمه هادی GaAs به روش MBE

هدف از این گزارش طراحی و ساخت یک حسگر مغناطیسی اثر هال با استفاده از نیمه هادی گالیم آرسناید به روش رشد رونشستی پرتو مولکولی MBE می باشد لایه گالیم آرسناید رشد داده شده به فرم چهارپر Clover leaf شکل داده شده و برای ساخت حسگر مورد استفاده قرارگرفته برای ایجاد کنتاکتهای الکتریکی برروی لایه از قلع استفاده شده است در نهایت با اندازه گیری های انجام شده حساسیت جریانی S1 اینحسگر 7.3A/VT و غلظت الکترونهای لایه رشد داده شده 5.67×10 17cm-3 و قابلیت تحرک الکترونها موبیلیته 3274cm2/V.S بدست آورده شده است.

کلیدواژه ها:

گالیم آرسناید ، رونشستی پرتومولکولی ، حسگر مغناطیسی