مرجع ولتاژ کاملا ماسفتی با توان مصرفی کم برای کاربردهای اینترنت اشیا در صنعت دریایی

سال انتشار: 1401
نوع سند: مقاله ژورنالی
زبان: فارسی
مشاهده: 158

فایل این مقاله در 10 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

JR_IJMT-9-2_003

تاریخ نمایه سازی: 2 خرداد 1401

چکیده مقاله:

در این مقاله یک مرجع ولتاژ تمام ماسفتی با توان مصرفی کم برای بهبود ارتباطات کشتی به ساحل، ارتقا رفاه کارکنان و بهینه سازی عملکرد در سطح ناوگان ارائه شده است. برای تامین ولتاژ معکوس با دمای مطلق (CTAT) از افت ولتاژ دو سر یک ترانزیستور NMOS اتصال دیودی، استفاده شده است. در مولد ولتاژ متناسب با دمای مطلق (PTAT) تفاضلی، استفاده از دو زوج ترانزیستورهای NMOS و PMOS با اتصال متقاطع باعث افزایش چشم گیر ضریب دمایی (TC) ولتاژ PTAT شده است. بنابراین فقط یک طبقه از مولد ولتاژ PTAT تفاضلی کافی است تا TC منفی ولتاژ CTAT ایجاد شده توسط NMOS اتصال دیودی را خنثی کند که همین امر باعث کاهش توان مصرفی و سطح جانمایی شده است. نتایج شبیه سازی پساجانمایی مدار مرجع ولتاژ پیشنهادی در تکنولوژی ۱۸/۰ میکرومتر CMOS نشان می دهد که این مدار می تواند با ولتاژ تغذیه V ۱، ولتاژ مرجع V ۵۵۷/۰ را با TC برابر با ppm/℃ ۴/۲۳ در بازه دمایی ۵۰℃- تا ۱۲۰℃ تولید کند. میزان توان مصرفی nW ۴/۱۴ و مساحت کل جانمایی mm۲ ۰۰۳۷/۰ می باشد. همچنین نسبت رد منبع تغذیه (PSRR) و تنظیم خط (LR) نیز به ترتیب dB ۳۴ و %/V ۰۳۸/۰ بدست آمده است.

نویسندگان

حسین رعیت

دانشجوی کارشناسی ارشد گروه مهندسی برق، دانشکده مهندسی، دانشگاه صنعتی خاتم الانبیا بهبهان، بهبهان، خوزستان، ایران

رضوان داستانیان

استادیار گروه مهندسی برق، دانشکده مهندسی، دانشگاه صنعتی خاتم الانبیا بهبهان، بهبهان، خوزستان، ایران

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :
  • R. J. Widlar, "New developments in IC voltage regulators", IEEE Journal ...
  • B. Razavi,"Design of analog CMOS integrated circuit", McGraw-Hill Books Co., ...
  • K. N. Leung, P. K. T. Mok, "A ۲-V ۲۳-μA ...
  • V.Hande and M.Shojaei Baghini," A survey of bandgap and non-bandgap ...
  • S. Strik, "Bandgap voltage reference: errors and techniques for their ...
  • J. Mu, Z. Zhu, and Y. Yang, "A ۵۸-ppm/ °C ...
  • R. Nagulapalli, K. Hayatleh and S. Barker, "A Single BJT ...
  • Ze-kun Zhou, Pei-sheng Zhu, Yue Shi, Xi Qu, Huiying Wang, ...
  • K. K. Lee, T. S. Lande and P. D. Häfliger, ...
  • Z.-K. Zhou et al., "A resistorless low-power voltage reference," IEEE ...
  • A. Far, "A ۲۲۰nA Bandgap Reference With ۸۰dB PSRR Targeting ...
  • K. Ueno, T. Hirose, T. Asai, and Y. Amemiya, "A ...
  • Y. Osaki, T. Hirose, N. Kuroki, and M. Numa, "۱.۲-V ...
  • D. M. Colombo, F. Werle, G. Wirth and S. Bampi, ...
  • S. Wang and P. K. T. Mok, "An ۱۸-nA ultra-low-current ...
  • Wang, A., Calhoun, B. H., & Chandrakasan, A. P. "Subthreshold ...
  • M. R. Salehi, R. Dastanian, E. Abiri and S. Nejadhasan. ...
  • S. M. Navidi and M. Ehsanian, "A ۲۰ ppm/◦C Voltage ...
  • Z. Zhu, J. Hu and Y. Wang, "A ۰.۴۵ V ...
  • نمایش کامل مراجع