Numerical Study of Operating Pressure Effect on Carbon Nanotube Growth Rate and Length Uniformity

سال انتشار: 1393
نوع سند: مقاله ژورنالی
زبان: انگلیسی
مشاهده: 151

فایل این مقاله در 8 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

JR_CHAL-2-1_007

تاریخ نمایه سازی: 2 مرداد 1401

چکیده مقاله:

Chemical Vapor Deposition (CVD) is one of the most popular methods for producing Carbon Nanotubes (CNTs). The growth rate of CNTs based on CVD technique is investigated by using a numerical model based on finite volume method. Inlet gas mixture, including xylene as carbon source and mixture of argon and hydrogen as carrier gas enters into a horizontal CVD reactor at atmospheric pressure. In this article the operating pressure variations are studied as the effective parameter on CNT growth rate and length uniformity.

نویسندگان

B. Zahed

Mechanical Engineering Department, University of Sistan and Baluchestan, Zahedan, I.R. Iran

T. Fanaei S.

Electrical and Electronic Department, University of Sistan and Baluchestan, Zahedan, I.R.Iran

A. Behzadmehr

Mechanical Engineering Department, University of Sistan and Baluchestan, Zahedan, I.R. Iran

H. Ateshi

Chemical Engineering Department, University of Sistan and Baluchestan, Zahedan, I.R. Iran

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :
  • R. Bacon, Growth, Structure, and Properties of Graphite Whiskers, Appl. ...
  • A. Oberlin, M. Endo, T. Koyama, Filamentous growth of carbon ...
  • S. Iijima, Helical microtubules of graphitic carbon, Nature ۳۵۴ (۱۹۹۱) ...
  • Y.X. Liang, T.H. Wang, A double-walled carbon nanotube field-effect transistor ...
  • C. Klinke, A. Afzali, Interaction of solid organic acids with ...
  • T.W. Odom, J.L. Huang, P. Kim, C.M. Lieber, Atomic structure ...
  • M.M.J. Treacy, T.W. Ebbesen, J.M. Gibson, Exceptionally high Young's modulus ...
  • S.J. Tans, R.M. Verschueren, C. Dekker, Room-temperature transistor based on ...
  • J.M. Bonard, M. Croci, C. Klinke, R. Kurt, O. Noury, ...
  • J. Suehiro, G. Zhou, H. Imakiire, W. Ding, M. Hara, ...
  • A. Thess et al., Crystalline Ropes of Metallic Carbon Nanotubes, ...
  • R. Andrews, D. Jacques, A. M. Roa, F. Derbyshire, D. ...
  • B.C. Liu, S.C. Lyu, S.I. Jung, H.K. Kang, C.-W. Yang, ...
  • Y.S. Cho, G. Seok Choi, G. S. Hong, D. Kim, ...
  • W. W. Liu, A. Aziz, S.P. Chai, A.R. Mohamed, Tye ...
  • A. C. Lysaght, W. K. S. Chiu, Modeling of the ...
  • L. Pan, Y. Nakayama, H. Ma, Modelling the growth of ...
  • B. Zahed, T. Fanaei S., H. Ateshi, Numerical analysis of ...
  • B. Zahed, T. Fanaei S., A.Behzadmehr, H. Atashi, Numerical Study ...
  • H. Endo, K. Kuwana, K. Saito, D. Qian, R. Andrews, ...
  • K. Kuwana, K. Saito, Modeling CVD synthesis of carbon nanotubes: ...
  • A.A. Puretzky, D.B. Geohegan, S. Jesse, I.N. Ivanov, G. Eres, ...
  • Chris R. Kleijn, C. Werner, Modeling of chemical vapor deposition ...
  • J.D. Plummer, M.D. Deal, P.B. Griffin, Silicon VLSI Technology, Prentice ...
  • نمایش کامل مراجع