Optimization of electron scattering from random potential barriers on the surface of topological insulators
سال انتشار: 1400
نوع سند: مقاله ژورنالی
زبان: انگلیسی
مشاهده: 151
فایل این مقاله در 9 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
JR_JITF-4-2_005
تاریخ نمایه سازی: 9 مرداد 1401
چکیده مقاله:
Optimization of electron scattering has been investigated using random potential barriers. Random pottential barriers can be defined in two ways: when these line defects are placed on the insulation surface, but strength of their potential is changing randomly, and the other is when potential barriers have a constant value, while their location on the surface of topological insulators is changing randomly. To observe the better passage of electrons, the probability of transmission in the random potential state is calculated N times. These N values are averaged and with the probability of transmission, in the local potential state is compared. It seems that, to propagating of incident electron for some amount of incident energy, the number of defects, strength of potential and even direction of propagation electron, to the same result for the local line defects is close. But for some amounts of incident energy or some structural changes show significant changes.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
حمید دهنوی
Department of Physics, Islamic Azad University, North Tehran Branch, Tehran, Iran
مهدی سعادت
Shahid Rajaee Teacher Training University, Tehran, Iran
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :