تقویت کننده توزیع شده ماتریس مخروطی با مصرف توان پایین برای کاربردهای فراپهن باند

سال انتشار: 1401
نوع سند: مقاله ژورنالی
زبان: فارسی
مشاهده: 208

فایل این مقاله در 12 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

JR_JIAE-19-3_008

تاریخ نمایه سازی: 16 مهر 1401

چکیده مقاله:

در این مقاله یک تقویت کننده توزیع شده ماتریسی ۳×۲ با خطوط انتقال مخروطی و مصرف توان پایین در فناوریCMOS nm۱۸۰ معرفی شده است. در این طرح استفاده از ساختار ماتریسی به جهت داشتن مکانیزم ضرب شوندگی و جمع شوندگی جریان سبب افزایش بهره و مصرف توان پایین گردیده است. در طبقه ورودی برای افزایش پهنای باند و عدم نیاز به استفاده از خازن های اضافی در خط انتقال گیت ورودی و خط انتقال مرکزی از یک سلول بهره متوالی با بهره قابل تنظیم استفاده شده است. همچنین، برای بهبود عدد نویز مقاومت انتهایی خط انتقال گیت ورودی با یک شبکه RL پایان یافته است. تقویتکننده توزیع شده پیشنهادی در فناوری nm ۱۸۰ CMOS شرکت TSMC طراحی و توسط نرم افزار کیدنس شبیه سازی شده است. نتایج شبیه سازی تقویتکننده توزیع شده پیشنهادی نشان می دهد که با مصرف توان mW ۱۶.۲۵ از یک منبع تغذیه V ۱، دارای بهره توان مستقیم (S۲۱)، dB ۱۲، تلف بازگشتی ورودی (S۱۱) و خروجی (S۲۲) کمتر از dB ۱۰-، متوسط نقطه تقاطع مرتبه سوم ورودی(IIP۳) برابر dBm ۶.۱۱- و متوسط عدد نویز dB ۵.۵ در بازه فرکانسی وسیع GHz ۱ تا GHz ۲۴ است.

کلیدواژه ها:

نویسندگان

ابوالفضل بیجاری

University of Birjand

سمیه عباسی اول

University of Birjand

حسین علیزاده

University of Birjand

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :
  • K. U. Leuven, Dept. Elektrotechniek, "Distributed Amplification in CMOS", Kasteelpark ...
  • M. Chen and J. Lin, “A ۰.۱-۲۰ GHz low-power self-biased ...
  • H. K. Chen, D. C. Chang, Y. Z. Juang, and ...
  • Bijari A, Sheikhi M. A New Ultra-Wideband Low Noise Amplifier ...
  • A Broadband Low Power CMOS LNA for 3.1–10.6 GHz UWB Receivers [مقاله ژورنالی]
  • E. L. Ginzton, J. H. Jasberg, J. D. Noe, W. ...
  • D. P. Nguyen, A. N. Stameroff, and A. V. Pham, ...
  • T. Shivan et al., “A ۹۵ GHz bandwidth ۱۲ dBm ...
  • D. P. Nguyen, A. N. Stameroff and A. Pham, "A ...
  • T. Shivan et al., "A ۹۵ GHz bandwidth ۱۲ dBm ...
  • B. Machiels, P. Reynaert and M. S. J. Steyaert, " ...
  • G. Gonzalez, Microwave Transistor Amplifiers, ۲nd Edition. Prentice-Hall, Inc., ۱۹۹۶ ...
  • K. B. Niclas and R. R. Pereira, "The Matrix Amplifier: ...
  • A. Van Der Ziel, "Gate noise in field effect transistors ...
  • S. D'Agostino, G. D'Inzeo, P. Marietti and G. Panariello, "A ...
  • Moez, K., and Elmasry, M.I.: ‘A low-noise CMOS distributed amplifier ...
  • G. Piccinni, G. Avitabile, C. Talarico and G. Coviello, "UWB ...
  • B. Mesgari, S. Saeedi, and A. Jannesari, “Cell Weighting and ...
  • C. Wu, T. Huang, Y. Hsiao, Y. Wu and H. ...
  • A. Alizadeh, M. Meghdadi, M. Yaghoobi and A. Medi, "Design ...
  • V. Nguyen, H. Nam, B. Lee, and J. Park, “A ...
  • M. Babaeinik, M. Dousti, and M. B. Tavakoli, “Analysis and ...
  • T. J. Chen, H. M. Su, T. H. Lee, and ...
  • K. U. Leuven, Dept. Elektrotechniek, "Distributed Amplification in CMOS", Kasteelpark ...
  • M. Chen and J. Lin, “A ۰.۱-۲۰ GHz low-power self-biased ...
  • H. K. Chen, D. C. Chang, Y. Z. Juang, and ...
  • Bijari A, Sheikhi M. A New Ultra-Wideband Low Noise Amplifier ...
  • A Broadband Low Power CMOS LNA for 3.1–10.6 GHz UWB Receivers [مقاله ژورنالی]
  • E. L. Ginzton, J. H. Jasberg, J. D. Noe, W. ...
  • D. P. Nguyen, A. N. Stameroff, and A. V. Pham, ...
  • T. Shivan et al., “A ۹۵ GHz bandwidth ۱۲ dBm ...
  • D. P. Nguyen, A. N. Stameroff and A. Pham, "A ...
  • T. Shivan et al., "A ۹۵ GHz bandwidth ۱۲ dBm ...
  • B. Machiels, P. Reynaert and M. S. J. Steyaert, " ...
  • G. Gonzalez, Microwave Transistor Amplifiers, ۲nd Edition. Prentice-Hall, Inc., ۱۹۹۶ ...
  • K. B. Niclas and R. R. Pereira, "The Matrix Amplifier: ...
  • A. Van Der Ziel, "Gate noise in field effect transistors ...
  • S. D'Agostino, G. D'Inzeo, P. Marietti and G. Panariello, "A ...
  • Moez, K., and Elmasry, M.I.: ‘A low-noise CMOS distributed amplifier ...
  • G. Piccinni, G. Avitabile, C. Talarico and G. Coviello, "UWB ...
  • B. Mesgari, S. Saeedi, and A. Jannesari, “Cell Weighting and ...
  • C. Wu, T. Huang, Y. Hsiao, Y. Wu and H. ...
  • A. Alizadeh, M. Meghdadi, M. Yaghoobi and A. Medi, "Design ...
  • V. Nguyen, H. Nam, B. Lee, and J. Park, “A ...
  • M. Babaeinik, M. Dousti, and M. B. Tavakoli, “Analysis and ...
  • T. J. Chen, H. M. Su, T. H. Lee, and ...
  • نمایش کامل مراجع