موجبرپلاسمونی ترکیبی سیلیکون مدفون شده در پلی وینیل کلراید(PVC)مبتنی برگرافن

دراین مقاله یک ساختار موجبرپلاسمونی هایبریدی مبتنی بر گرافن به صورت دوبعدی تحلیل شده است، دراین ساختار پیشنهادی لایه سیلیکون در داخل یک لایه دی الکتریک از جنس پلی وینیل کلراید۱ (PVC) با زیر لایه ی از جنس پلیمر(پلی متیل متاکریلات(PMMA))۲ قرارداشته که سیلیکون روی لایه گرافنی(۵لایه ای) قرار دارد. مهمترین مشخصه این موجبر پیشنهادی، وجود لایه سیلیکون در عمق عایق پلی وینیل کلراید است، دراین ساختار با تنظیم پذیری گرافن می توان یک تحدیدشدگی وتلفیق مدی مناسب با طول انتشارمدی بلند به دو دلیل یکی وجودمکانسیم عایقی در لایه سیلیکونی و دیگری پلاسمون هایی سطحی ناشی ازلایه گرافن را داشت. دراین ساختارتوانستیم نسبت به بعضی از مراجع ذکر در مقاله طول انتشار موجبر را به ۶۵۸ میکرومتر و سطح موثرمد]۲ [را به ۰/۰۲۴ میکرومترمربع بهبود بدهیم. در این ساختار پیشنهادی توان نوری و ضریب شایستگی(FOM) ]۳ [موجبر مورد ارزیابی قرار گرفته که نتایج نشان می دهد این دستگاه عملکرد مناسبی نسبت به دیگر موجبرها داشته است.

کلیدواژه ها:

موجبرپلاسمونی ، سیلیکون ، گرافن ، طول انتشار ، سطح موثر مد