طراحی و شبیه سازی یک مدار مرجع ولتاژ شکاف انرژی ولتاژ پایین در تکنولوژی CMOS ۰,۱۸ʽm برای تغذیه ۱,۶ تا ۵,۵ ولت

در این مقاله یک مدار مرجع ولتاژ شکاف انرژی در تکنولوژی ۰.۱۸ʽm CMOS طراحی و شبیه سازی شده است. این مدار در محدودهی ولتاژ تغذیه ی ۱.۶V تا ۵.۵V در دمای بین -۵۵ تا ۱۳۰ درجه سانتیگراد کار میکند. مشخصه ی اصلی برای تولید ولتاژ مرجع شکاف انرژی در این طراحی ولتاژ بیس - امیتر ترانزیستورهای دوقطبی است. در این طراحی مدار مجزایی برای تولید بایاس هستهی اصلی مرجع ولتاژ نیاز نبوده و جریان بایاس در همین مدار تولید میگردد. خروجی این مدار روی ۰,۶ ولت تنظیم شده اما قابلیت تغییر خواهد داشت.

کلیدواژه ها:

مرجع ولتاژ ، CMOS ، ترانزیستورهای دوقطبی