پیاده سازی یک OTA مبتنی بر ترانزیستورهای اثرمیدان گرافنی

سال انتشار: 1402
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 78

فایل این مقاله در 9 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

NCEEM12_005

تاریخ نمایه سازی: 30 آبان 1402

چکیده مقاله:

مشکلات ناشی از تغییر مقیاس در فناوریCMOSباعث حرکت محققان به ست توسعه فناوری های جایگزین و یا مکمل برای مدارات مبتنی بر سیلیسم شده است. در این میان نانوالکترونیک مبتنی بر کربن به خاطر روش های ساخت سازگار با فن آوری CMOS مورد توجه خاص می باشند. ترانزیستورهای اثرمیدانی گرافنی GFETs به دلیل محدوده فرکانس های گذر تراهرتز و در نتیجه کاربرد در الکترونیک فرکانس بالا و سریع بسیار مورد توجه هستند. در این مقاله با مدلسازی این ادوات توسط Verilog-A و شبیه ساز مدار در نرم افزار ADS یک OTA مبتنی بر معکوس کننده ترارسانایی GFET پیاده سازی شده است. شبیه سازی انجام شده بهره ولتاژ dB , ۱۲/۸۸ ، فرکانس قطع GHz ۵۰/۵ حاشیه فاز ۱۵۲ درجه، نسبت حذف حالت مشترک با dB ۳۰/۹۲ و توان مصرف mW ۰/۲۶ را نتیجه می دهد.

کلیدواژه ها:

نانوالکترونیک ، ترانزیستورهای اثرمیدانی گرافنی ADS ، فیلترهای فرکانس بالا

نویسندگان

علی صفری

استادیار، گروه مهندسی برق، واحد اسلامشهر، دانشگاه آزاداسلامی، اسلامشهر، ایران ،