تنظیم ضریب جذب غیرخطی بلور فوتونی یک بعدی شامل نقص لایه گرافن

امروزه نانوساختار های گرافن استعداد چشمگیری برای استفاده در کاربردهایاپتوالکترونیک غیرخطی مانند فیلترهای باندگذر باریک از خود نشان داده اند. در این مقاله، میزان جذب غیرخطی بلور فوتونی یک بعدی شامل لایه های دی الکتریک Ta۲O۵ و SiO۲ و لایه گرافن به عنوان نقص ساختار که دارای خاصیت غیرخطی نوری است، از جنبه نظری بررسی شده است. به دلیل پذیرفتاری غیرخطی مرتبه سوم قوی گرافن، اثر اپتیکی کر یکی از اثرات غالب در ساختار مورد مطالعه است. نتایج مطالعات نظری حاکی از آن است که میزان جذب ساختار با تغییر دوره تناوب، قطبش، زاویه فرود و شدت نور فرودی تنظیم پذیر است. محاسبات نشان می دهد که در طول موج ۸۱۸ نانومتر می توان به دو مقدار جذب ۹۹/۰ و صفر به ترتیب در شدت های کمتر از  و در شدت های بالاتر از دست یافت. بررسی نظری ساختار در ناحیه طول موج مرئی با روش ماتریس انتقال، TMM، انجام شده است.

کلیدواژه ها:

اثر کر ، بلور فوتونی ، پذیرفتاری مرتبه سوم ، روش ماتریس انتقال ، جذب غیرخطی ، گرافن