بررسی تاثیر شکاف باند در ترانزیستور NPN

امروزه برای طراحی و ساخت ترانزیستورها از ساختار SOI استفاده میشود و این ساختارها در مدارهای مجتمع دارای کاربردهای بسیار زیادی می باشند خصوصیاتی که برای این مدارها بیشتر مورد توجه قرار دارد ولتاژ آستانه (Vt) ، شیب زیر آستانه (۵۵) و نسبت جریان روشن به خاموش (lon٫loff میباشد. ترانزیستورهایی که این مشخصات در آنها بصورت بهینه می باشند بیشترین کارایی را در مدارهای مجتمع دارند زیرا باعث میشود که سرعت سوئیچ زنی بالا و مصرف توان کمی داشته باشند. در این مقاله از ساختار SOI جهت طراحی یک ترانزیستور NPN استفاده شده است. با توجه به اینکه تغییرات شکاف باند تاثیر مستقیم بر عملکرد ترانزیستورها دارد لذا شکاف باند نیمه هادی را در مقادیر های e, ۱.۶ev, ev ۱.۲ تغییر داده و تاثیر شکاف باند انرژی بر روی خصویات ترانزیستور از جمله ولتاژ آستانه شیب زیر استانه و نسبت جریان روشن به خاموش مورد بررسی قرار گرفته است. این ساختار در نرم افزار سیلواکو اطلس شبیه سازی شده است و تحلیلهای مورد نیاز محاسبه شده و سپس نتایج با یکدیگر مورد مقایسه قرار گرفته و شکاف باند انرژی که بهترین تاثیر را بر روی ترانزیستور دارد بدست آمده است.