بررسی تاثیر اصلاحات ساختاری بر روی عملکرد ترانزیستورهای مبتنی بر نانو نوارهای فسفرن سیاه

در این مقاله ترانزیستورهای مبتنی بر نانو نوارهای فسفرن سیاه مورد مطالعه قرار گرفته است. بای این منظور از ساختار الکترونیکی نانو نوارهای فسفرن سیاه به کمک روش تنگ بست استفاده شده است. همچنین برای به دست آوردن مشخصات و پارامترهای افزاره نیز از روش محاسباتی بالای سد در چهارچوب روابط لاندائور بهره گرفته شده است. نتایج نشان می دهد که با ایجاد پادنقطه های متقارن در نوار، تابع انتقال الکترونی در نزدیکی لبه باند هدایت افزایش پیدا کرده که در نتیجه آن ولتاژ آستانه نیز به صورت مطلوب افزایش می یابد. همچنین ایجاد پادنقطه باعث افزایش شکاف باند انرژی شده و به کاهش مطلوب جریان خاموشی کمک می کند. مشاهده شد که با انتخاب مناسب پارامترهای پادنقطه می توان نسبت جریان روشن به خاموش را تا حدود ۲۵۰۰ مرتبه بهبود داد.

کلیدواژه ها:

فسفرن سیاه ، پادنقطه ، ولتاژ آستانه ، نسبت جریان ، روشن به خاموش