بهبود گسیل خودبه خودی و بهره مادی از نقطه کوانتمی CdSe/CdS

سال انتشار: 1402
نوع سند: مقاله ژورنالی
زبان: فارسی
مشاهده: 18

فایل این مقاله در 5 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

JR_PSI-23-3_008

تاریخ نمایه سازی: 9 اردیبهشت 1403

چکیده مقاله:

این مطالعه به بررسی بهره مادی و گسیل خودبه خودی بهبودیافته نقاط کوانتمی (QD) CdSe(۱-x)S(x)/ZnS و CdSe(۱-x)S(x)/ZnO می پردازد. نقاط کوانتمی سلنید کادمیوم (CdSe)، لایه مرطوب سولفید کادمیوم (CdS)، و لایه های حائل اکسید روی (ZnO) و سولفید روی (ZnS) برای دستیابی به QDs نیمه هادی با ناحیه فعال (B) مورد بررسی قرار گرفتند. ترازهای انرژی و هم ترازی نواری بین لایه ها با استفاده از مدل قرص کوانتمی پیش بینی شد. بهره برای مدهای الکتریکی (TE) و مغناطیسی (TM) عرضی در ساختارهای QD با در نظر گرفتن عناصر ماتریس تکانه تخمین زده می شود. کسر مولی (x) و سهم مواد حائل (ZnO و ZnS) در افزایش بهره و گسیل خود به خودی در این مقاله مورد بررسی قرار گرفته است. هنگامی که ZnS به عنوان یک لایه حائل استفاده می شود، گسیل خود به خودی برابر با ۱۰۱۹×۷۵/۱۱ (eV.sec.cm۳)-۱ در x ~ ۰.۶۹ و طول موج ۳۲۴ نانومتر به دست می آید و بهره مادی بیشترین مقادیر cm-۲ ۱۰۴×۶۷/۵ برای مد TM و cm-۲ ۱۰۷×۷۴/۳ برای مد TE را دارد. در حالتی که لایه حائل ZnO باشد، در ۴۴/۰ x ~ و طول موج ۳۶۵ نانومتر، گسیل خودبه خودی ۱۰۱۹×۹۷/۲ (eV.sec.cm۳)-۱ می شود و بیشترین مقدار بهره cm-۲ ۱۰۴×۱۱/۲ برای مد TM و cm-۲ ۱۰۵×۲۴/۱ برای مد TE است.

کلیدواژه ها:

نقطه کوانتمی ، گسیل خود به خودی ، بهره مادی ، لایه مانع

نویسندگان

جمال جابر

گروه فیزیک، دانشکده آموزش، دانشگاه القادسیه، دیوانیه، عراق

غدیر کاظم

گروه فیزیک، دانشکده آموزش، دانشگاه القادسیه، دیوانیه، عراق

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :
  • J Jamal, M Sabah, and A Amin, Phys. Conf. Ser. ...
  • J Kim and S L Chuang, IEEE J. Quantum Electron ...
  • B Al-Nashy, S Razzaghi, M Al-Musawi, S Rasooli, and A ...
  • D Tahseen, A M Samir, and A Amin, Opt.۵۷ (۲۰۱۸). ...
  • D Tahseen, A M Samir, and A Amin, Micro Nano ...
  • M Al-Mossawi, A Al-Shatravi, and A Al-Khursan, Insciences J. ۲ ...
  • A Al-Shatravi, B Al-Nashy, and A Al-Khursan, Journal of Optical ...
  • J Jamal, M Sabah, and A Al-Khursan, Plasmonics ۱۴ (۲۰۱۹). ...
  • M Albaladejo, C Elizabeth, D Koch, L Yanxiu, A Rogach, ...
  • H Chen, H Cheng, and H Hong, IEEE Photonics Technology ...
  • N Bajwa, N Mehra, K Jain, and N Jain, Biotechnol ...
  • L Vandersypen and M Eriksson, Physics Today ۷۲ (۲۰۱۹) ۸. ...
  • L Yitan, W Lin, W Cuncun, L Chang, Y Chen, ...
  • O Olusola, O Echendu, and I Dharmadasa, Journal of Materials ...
  • P Chauhan, A Patel, S Narayan, J Prasad, C Sumesh, ...
  • S Hussain, M Iqbal, A Khan, M Khan, G Mehboob, ...
  • K Sediq, ARO ۹ (۲۰۲۱) ۲. ...
  • J Llusar, J Planelles, and J Climente, The Journal of ...
  • A Erin, J Monique, A Jasmin, and K Aswini, A ...
  • H Asano and T Omata, AIP Advances ۷ (۲۰۱۷). ...
  • نمایش کامل مراجع