مدلسازی فیزیکی و سطح مدار افزاره های تک الکترونی

نانوالکترونیک میتواند در رسیدن به ابعاد هر چه کوچکتر راهگشا بوده و با توجه به مزایای حاصل از آن، آینده صنعت الکترونیک را تسخیر نماید. در این راستا و به منظور بکارگیری هرچه بیشتر و موثرتر نانو تکنولوژی در ساختار قطعات الکترونیک، ترانزیستورهای تک الکترونی بسیار مورد توجه واقع شده اند. . افزاره های تک الکترون و به خصوص ترانزیستور های تک الکترون، در سال های اخیر به منظور استفاده از مدار های مجتمع ما فوق چگال بسیار مورد توجه واقع شده اند. این قطعات قابلیت عملکردی تنها با انتقال چند الکترون در هر مرحله که توان بسیار پایینی را مصرف می کند، دارند. با نزدیک شدن به حد نهایی کوچک سازی ابعاد ترانزیستور های اثر میدانی، تلاش ها برای جای گزین کردن این ترانزیستور ها رو به افزایش است. ادوات تک الکترونی به دلیل ابعاد بسیار کوچک در حد نانو متر و مصرف توان بسیار کم، امید های زیادی را برای استفاده در مدار های مجتمع آینده در بین محققان ایجاد کرده است. با دنبال کردن مسیر کاهش ابعاد ترانزیستور های اثر میدان به معرفی ترانزیستور های تک الکترونی به عنوان کاندیدایی مناسب برای جای گزین کردن آن ها می رسیم. در ادامه به بررسی ترانزیستور تک الکترون و هم خانواده های آن به لحاظ فیزیکی و مداری می پردازیم.

کلیدواژه ها:

ترانزیستور تک الکترونی ، نانوالکترونیک ، ترانزیستور اثر میدانی ، سطح مدار