رشد دما پایین نانو بلورهای سیلیکان و ژرمانیم به کمک پلاسمای RF هیدروژن برای ساخت ترانزیستورهای لایه نازک
محل انتشار: کنفرانس فیزیک ایران ۱۳۸۴
سال انتشار: 1384
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 1,705
متن کامل این مقاله منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل مقاله (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
IPC84_094
تاریخ نمایه سازی: 5 اسفند 1385
چکیده مقاله:
ساختارهای نانو بلوری سیلیکان و ژرمانیم به کمک هیدروژناسیون با پلاسمای RF و حرارت دهی در چندین مرحله متوالی و بدون نیاز به استفاده از فلز ، بر بستر شیشه ای رشد داده شده اند . این فرآیند منجر به ایجاد ساختار های دانه ای سیلیکان و ژرمانیم با اندازه متوسط دانه کمتر از 100 نانومتر به ترتیب در دماهای پایین150 °C و 250 °Cمی شود . اثر توان پلاسمای هیدروژن در دماهای مختلف بر روی بلورینگی این لایه ها به کمک آنالیز TEMو SEM بررسی شده اند . با کنترل دمای حرارت دهی و توان پلاسما ، لایه های چند بلوره سیلیکان و ژرمانیم با کیفیت افزاره ای رشد داده شده اند که می توان از آنها در ساخت ترانزیستورهای لایه نازک که در الکترونیک مساحت بزرگ ارزان قیمت کاربرد دارند ، استفاده کرد
نویسندگان
پویا هاشمی
آزمایشگاه تحقیقاتی لایه نازک، گروه مهندسی برق و کامپیوتر، دانشکده ف
یاسر عبدی
آزمایشگاه تحقیقاتی لایه نازک، گروه مهندسی برق و کامپیوتر، دانشکده ف
سیدشمس الدین مهاجرزاده
آزمایشگاه تحقیقاتی لایه نازک، گروه مهندسی برق و کامپیوتر، دانشکده ف
جابر درخشنده
آزمایشگاه تحقیقاتی لایه نازک، گروه مهندسی برق و کامپیوتر، دانشکده ف
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :