بررسی اثر ناخالصی روی خواص رسانندگی سیم مولکولی

در این مقاله به بررسی اثر حضور ناخالصی بر رسانندگی یک نانو ساختار نوعی شامل سیم مولکولی با 25 جایگاه اتمی پرداخته ایم. از بر همکنش های الکترون _ الکترون در سامانه چشم پوشی می کنیم. محاسبات با استفاده از مدل بستگی قوی بر پایه رهیافت تابع گرین انجام شده و الکترودها در تقریب نوارپهن توصیف شده اند. ناخالصی به صورت تصادفی و با درصدهای متفاوت وارد سیستم می شود. نتایج حاکی از این است که با ورود ناخالصی به سامانه، رسانندگی به مقداری کاهش یافته و اصلاح می شود.

کلیدواژه ها:

سیم مولکولی ، رهیافت تابع گرین ، تقریب بستگی قوی ، ترابرد الکترون