طراحی و ساخت تقویت کننده توان کلاس AB پهن باند با بازدهی و خطینگی بالا
محل انتشار: سومین کنفرانس ملی و اولین کنفرانس بین المللی پژوهش هایی کاربردی در مهندسی برق، مکانیک و مکاترونیک
سال انتشار: 1394
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 943
فایل این مقاله در 13 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ELEMECHCONF03_0599
تاریخ نمایه سازی: 9 مرداد 1395
چکیده مقاله:
در این مقاله، یک تقویت کننده توان کلاس AB پهن باند با بازدهی بالا و با بهره گیری از خطوط انتقال مایکرواستریپ برای کاربردهای سلول کوچک LTE طراحی، شبیه سازی و ساخته شده است. از ترانزیستور PHEMT از جنس گالیوم آرسناید برای پیاده سازی استفاده شده است. تقویت کننده مورد نظر در فرکانس مرکزی 1/7GHz دارای توان خروجی 29/2dBm با بازده توان افزوده 65% در نقطه فشردگی 1-dB است. بعلاوه، تقویت کننده طراحی شده در رنج فرکانس 1/3GHz تا 1/9GHz دارای توان خروجی بالای 28/1dBm با بازده توان افزوده بیش از 60% است. عملکرد خطی تقویت کننده کلاس AB موردنظر نیز با اعمال یک سیگنال دو تن به ورودی تقویت کننده، از لحاظ مولفه های انترمدولاسیون مرتبه سوم مورد ارزیابی قرار گرفت که نتایج حاصل نشان دهنده ی نقطه ی تقاطع سوم خروجی OIP3 =42dBm بازای نقطه تقاطع سوم ورودی IIP3 =30dBm است.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
سید محمد مهدی جعفری
دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر، دانشگاه صنعتی خواجه نصیرالدین طوسی، تهران، ایران
حسین شمسی
دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر، دانشگاه صنعتی خواجه نصیرالدین طوسی، تهران، ایران
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :