طراحی و شبیه سازی تقویت کننده کم نویز فرا پهن باند با بهره بالا و عدد نویز پایین

سال انتشار: 1395
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 885

فایل این مقاله در 13 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

CBCONF01_1001

تاریخ نمایه سازی: 16 شهریور 1395

چکیده مقاله:

در این مقاله پروسه کامل تحلیل، طراحی و شبیه سازی یک تقویت کننده کم نویز فراپهن باند با جزئیات کامل و دقیق به همراهمسائل و چالش های مهم پیرامون فراهم ساختن شرایط برای تحقق پوشش کامل باند فراپهن از فرکانس 3/1 تا 10/6 گیگاهرتز،کاهش عدد نویز پایین ، بالا بردن ضریب شایستگی و ... ارائه شد. نوآوری اصلی این پروژه در پیاده سازی صحیح تکنیک تنظیمضربدری به منظور افزایش پهنای باند و نیز تکنیک استفاده مجدد جریان برای کاهش توان مصرفی مدار با بهره گیری از حداقلتعداد ترانزیستور و چیدمان درست المان ها و انتخاب مقادیر آنها در جهت تحقق اهداف کلی پروژه و معرفی طرحی به مراتب بهتراز نقطه نظر شاخص های عملکرد آن در مقایسه با دیگر ساختارهای ارائه شده در سالهای گذشته می باشد. به نحوی که تا حدودزیادی از نظر شاخص های مهم سنجش عملکرد مدار از جمله پهنای باند، توان مصرفی، عدد نویز و در راس آنها ضریب شایستگی (FOM)، مدار بهینه ترین حالت را شاهد هستیم. پهنای باند بسیار بالا و 7/5 گیگاهرتزی تقویت کننده کم نویزپیشنهادی، تطبیق امپدان مناسب در ورودی و خروجی آن به طوری که پارامترهای (S(11 و (S(22 به ترتیب پایین تر از 10/489- و 14/630- دسی بل، بهره ولتاژ و بهره توان نسبتاً بالا به ترتیب برابر با 20/501 و 13/311 دسی بل، عدد نویز خوب در محدوده 2/521-2/149 دسی بل، خطسانی مطلوب در محدوده فرکانس کاری مدار به طوری که شاخص نقطه تقاطع مرتبه سوم (IIP3) برابر با 0dBm است، از نقاط قوت برجسته و قابل توجه طرح پیشنهادی می باشد به طوریکه این موارد به ضریب شایستگی (FOM) برابر با 44/25- دسی بل منجر شده است که بسیار قابل توجه می باشد.

کلیدواژه ها:

تقویت کننده کم نویز(LNA) ، فراپهن باند (UWB) ، تکنیک استفاده مجدد جریان ، عدد نویز (NF) ، ضریب شایستگی (FOM)

نویسندگان

محمدسجاد احمدی

دانشجو دکترا تخصصی دانشگاه آزاد اسلامی واحد کرمانشاه

نگار اسماعیلی

کارشناس ارشد دانشگاه آزاد اسلامی واحد کرمانشاه

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :
  • dB NF 3.1-10.6 GHz CMOS 2.5ه [12] H.-Y. Yang, Y.-S. ...
  • T. H. Lee, 2001, The design of CMOS Radi o-Frequency ...
  • B. Razavi, Edition 2001, Desing of Analog CMOS Intagrated Circuits, ...
  • A. Abidi .November 1986, "High Frequency Noise Measurements on FETs ...
  • Gonzalez G, 1997, Microwave transistor amplifiers: analysis and design (Second ...
  • 3dB Voltage Gain 6.1dB A:ه [5] Ch. Weyers, P. Mayr, ...
  • M. Khanpour, K. W. Tang, P. Garcia, and S. P. ...
  • C. F. Liao and S. I. Liu, Sept. 2005 _ ...
  • K. Chen, J. Lu, B. Chen, and S. Liu, Mar. ...
  • A. I. A. Galala, R. Pokharel, H. Kanaya and K. ...
  • A. Bevilacqua and A. M. Niknejad, Dec. 2004 _ ultrawideband ...
  • Qiuzhen Wan, Chunhua Wang, Dec. 2011 "Design of 3.1-10.6GHz ultra-wideband ...
  • um 3.1-10.6 GHz CMOSUWB 0.18ء [13] J.H.Lee, C.-C. Chen and ...
  • T.Kihara, T.Mastuoka, and K.Taniguchi, 2008 _ 1.0 V, 2.5 mV, ...
  • Y.Gao, Y.Zheng and Ban-Leong Oo, 2007 _ 0.18-um CMOS UWB ...
  • نمایش کامل مراجع