شبیه سازی فرآیند لایه نشانی سیلیکن آمورف در راکتور PECVD و بررسی اثر فشار محفظه روی خواص لایه نشانده شده

سال انتشار: 1386
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 1,328

متن کامل این مقاله منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل مقاله (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

NCV03_014

تاریخ نمایه سازی: 1 شهریور 1387

چکیده مقاله:

در این نوشتار نتایج شبیه سازی فرآیند لایه نشانی سیلیکن آمورف به روش PECVD ارائه شده است و تاثیر فشار محفظه بر روی خواص لایه نشانده شده مورد بررسی قرار گرفته است. به منظور ارزیابی کیفیت و یکنواختی لایه نشانده شده دو معیار کیفی تعریف شده است. همچنین نرخ لایه نشانی سیلیکن آمورف در فشارهای کمتر از یک تور (شرایط متداول لایه نشانی) بر حسب موقعیت مکانی بر روی بستر و الکترود توان نشان داده شده است.

نویسندگان

حسام ایلاتی

آزمایشگاه نانوالکترونیک ، دانشکده برق ، دانشگاه صنعتی شریف