New Domino Design for Robust High Fan-in Gates
محل انتشار: سومین کنگره بین المللی کامپیوتر، برق و مخابرات
سال انتشار: 1395
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: انگلیسی
مشاهده: 508
فایل این مقاله در 8 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ITCC03_046
تاریخ نمایه سازی: 6 اردیبهشت 1396
چکیده مقاله:
High fan-in domino gates are used in the critical path of modern microprocessors to improve the performance, but the conventional domino logics suffer from leakage current and lower noise immunity, especially in sub-micron technologies. In this paper, a new circuit design for low leakage and noise immune high fan-in domino gates is proposed. The proposed circuit technique uses diode-footed transistor and current mirror to control PMOS keeper transistor. This results in reduction of the contention between the keeper transistor and pull down network from which other techniques suffer. Moreover, by using the stacking effect, leakage current is reduced and the performance of the current mirror is improved. High fan-in OR gates are simulated using a 07-nm CMOS predictive technology model (PTM) at a power supply of 7.0-V. Simulation results demonstrate that the proposed circuit exhibits about %72 less power consumption and nearly %2 fold improvement in noise immunity compared to the standard domino circuit.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
Mohammad Asyaei
School of Engineering Damghan University Damghan, Iran
Mohammad Reza Saadaty
School of Engineering Damghan University Damghan, Iran
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :