طراحی و شبیه سازی تقویت کننده مبدل امپدانس (TIA) کم نویز برای سنسور شتابسنج خازنی MEMS
سال انتشار: 1395
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 715
فایل این مقاله در 9 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
UTCONF01_157
تاریخ نمایه سازی: 19 خرداد 1396
چکیده مقاله:
در این مقاله،یک تقویت کننده مبدل امپدانس (TIA) کم نویز برای سنسور شتابسنج خازنی MEMS طراحی شدهاست که در آن پارامترهای کلیدی (نویز پایین، مساحت قطعه کم، توان تلفاتی پایین) ادوات MEMS بطور قابلملاحظه ای بهبود یافته است. تقویت کننده با استفاده از تکنولوژی TSMC .18um cmos طراحی و شبیه سازیشده است و دارای بهره 73.2dB/2، نویز جریان ارجاعی به ورودی 1.3(nA/√Hz)@1Hz ،پهنای باند 101.6MHz و توانتلفاتی فقط 739.6μW می باشد.
کلیدواژه ها:
فناوری میکروالکترومکانیکی ، سنسور شتابسنج خازنی ، ساختار فیدبک مقاومتی ، تقویت کننده مبدل امپدانس ، نویز
نویسندگان
رامین ولیپورشیخی
دانشجوی کارشناسی ارشد دانشگاه لرستان
عبدالمجید موسوی
عضو هیات علمی دانشگاه لرستان
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :