بررسی اثر اندازه بسامد پلاسمای مؤثر، بر میزان گاف نوار در نانو بلورهای فوتونی فلزی

سال انتشار: 1388
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 1,068

فایل این مقاله در 6 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

NAYRC01_082

تاریخ نمایه سازی: 17 مهر 1387

چکیده مقاله:

با استفاده از روش موج تخت تغییر یافته، ساختار نوار فوتونی در یک نانو بلور فوتونی پاشنده با شبکه مربعی محاسبه شده است. میله های پاشنده واقع در بلور را از جنس فلز و با سطح مقطع هگزاگونال انتخاب کرده ایم که در زمینه ای از هوا قرار گرفته اند. این نانو بلورها از خود گاف نوار فوتونی یا همان ناحیه ممنوعه بسامدی نشان می دهند. معمولا این گافها از لحاظ طیف نوری در ناحیه مادون قرمز قرار می گیرند. هدف ما در این مقاله بررسی موقعیت و پهنای این گافهای فوتونی و بدست آوردن گاف نوار بیشینه است. برای این منظور مقادیر مختلفی را برای بسامد پلاسمای مؤثر نانو بلور در نظر گرفته ایم. نتایج حاکی از اینست که تعداد و همچنین پهنای گافهای نوار با افزایش بسامد پلاسمای مؤثر، افزایش می یابد.

کلیدواژه ها:

نانو بلور فوتونی- روش موج تخت تغییر یافته-گاف نوار-ساختار نوار

نویسندگان

علی اصغر صدقی

عضو هیئت علمی دانشگاه آزاد اسلامی واحد شبستر

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :
  • Joan nopoulos. J. D, Meade. R. D, and Winn. J. ...
  • S. Shi, C. Chen, and D. W. Prather, Revised plane ...
  • R. Hillebrand, W. Hergert and W. Harms, Theoretical Band Gap ...
  • W. Kuang, Z.Hou, Y.Liu, The effects of shapes and symmetries ...
  • V. Kuzmiak and A. A. Maradudin, Photonic band structures of ...
  • نمایش کامل مراجع