بهینه سازی طبقه کسکود ورودی و استفاده از آن در طراحی تقویت کننده عملیاتی CMOSدر ناحیه زیرآستانه
محل انتشار: هشتمین کنفرانس ملی مهندسی برق و الکترونیک ایران
سال انتشار: 1395
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 410
فایل این مقاله در 14 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ICEEE08_001
تاریخ نمایه سازی: 11 مرداد 1396
چکیده مقاله:
تقویت کننده های عملیاتی یکی از اجزا پر استفاده در طراحی مدارات الکترونیکی هستند و عملکرد آنها شامل بهره، پهنای باند و مصرف توان بسیار مهم هستند. هرچند تقویت کننده های ترانزیستوری با استفاده از BJT ها بهره های بالا و همچنین پهنای باند وسیعی دارند، ولی مصرف توان آنها بسیار بالاست. تقویت کننده های CMOS که در ناحیه وارونگی قوی عمل میکنند توان مصرفی کمتری از تقویت کننده های BJT دارند ولی معمولا بهره و پهنای باند کمتری دارند. با این حال تنها وقتی مدل های SPICE برای ترانزیستورهای CMOS برای شبیه سازی تمام نواحی وارونگی توسعه پیدا کرد، محققان به بررسی رفتار تقویت کننده ها در نواحی وارونگی متوسط و ضعیف پرداختند. در این پژوهش با استفاده از مدل دقیق BSIM3 که رفتار ترانزیستورها را در نواحی وارونگی ضعیف و متوسط مدل می کند به طراحی تقویت کننده ای عملیاتی پرداخته ایم که علاوه بر مصرف بسیار پایین توان بهره بالایی نیز داشته باشد
کلیدواژه ها:
نویسندگان
سیدپیمان میرنظامی
گروه برق و الکترونیک دانشگاه آزاد اسلامی، واحد اراک اراک، ایران
حمدباقر توکلی
گروه برق و الکترونیک دانشگاه آزاد اسلامی، واحد اراک اراک، ایران
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :