اثر جنس سیال پایه بر توزیع خطوط گرما در جابجایی آزاد نانوسیال تحت میدان مغناطیسی افقی

در این مقاله به بررسی تاثیر جنس سیال پایه بر توزیع خطوط گرما در جابجایی آزاد نانوسیال در یک محفظه مربعی، تحت میدان مغناطیسی افقی با اعداد هارتمن متفاوت پرداخته شده است. این بررسی برای دو سیال پایه متفاوت آب و اتیلن گلیکول و نانوذره نقره انجام گرفته است. معادلات بقای جرم، اندازه حرکت و انرژی به روش CFD و با کدنویسی فرترن حل شده که برای معادله اندازه حرکت از معادله دارسی استفاده شده است. علاوه بر ارایه عددی نتایج، تاثیر میدان در قدرت های متفاوت بر خطوط گرما و همچنین خطوط جریان و خطوط دما ثابت، در اعداد ریلی مختلف نشان داده شده است. مشخص می شود که اثر میدان مغناطیسی در اعداد ریلی بیشتر، مشخص تر بوده و اعمال میدان مغناطیسی باعث میرایی جریان و کاهش انتقال حرارت میشود. همچنین، در میان سیالات پایه آب و اتیلن گلیکول تحت میدان مغناطیسی یکسان، آب انتقال حرارت بیشتری از خود نشان میدهد.

کلیدواژه ها:

میدان مغناطیسی ، جابجایی آزاد ، نانوسیال ، خطوط گرما ، حل عددی