بررسی تاثیر درصد مولی ژرمانیوم و ضخامت لایه کلاهک سیلیسیم بر روی مشخصات الکتریکی افزاره ماسفت با ساختار نا متجانس سیلیسیم / سیلیسیم -ژرمانیوم تحت کرنش ابعاد نانو متری

در این مقاله عملکرد تراتزیستور p-MOSFET با ساختار سیلیسیم/سیلیسیم – ژرمانیوم تحت کرنش (Strain) بررسی شده است. در این ساختار قابلیت حرکت حفره ها بدلیل اعمال کرنش در لایه سیلیسیم – ژرمانیوم و نیز تشکیل چاه پتانسیلی در محل فصل مشترک سیلیسیم / سیلیسیم ژرمانیوم افزایش قابل توجهی می یابد. از آنجا که در این افزاره دو لایه وارون نقش کانال را ایفا می کنند دو ولتاژ آستانه وجود خواهد داشت. نشان داده ایم که افزایش درصد مولی ژرمانیوم در لایه سیلیسیم ژرمانیوم موجب افزایش اختلاف دو ولتاژ آستانه می گردد. افزایش درصد مولی ژرمانیوم موجب افزایش خازن گیت و نیز جریان گیت می شود. همچنین کاهش ضخامت لایه کلاهک سیلیسیم موجب افزایش هدایت انتقالی سیگنال کوچک گیت و خازن گیت می گردد.