بررسی خاصیت پیزورزیستیویته پلی سیلیکون با تاکیدبر رشد دانه ها و پارامتر های فرایند ساخت

ویژگی های الکتریکی لایه های سیلیکو نی پلی کریستالی به ساختار دانه ها بستگی دارد. این مقاله توصیف جامع از رشددانه پلی سیلیکون در طیف گسترده ایی از دوپینگ و شرایط پردازش را نشان می دهد , دوپینگ پلی سیلیکون با B , As , p می باشد این نتایج نشان میدهد که دوپینگ نوع n باعث افزایش رشد دانه می شود , در حالیکه دوپینگ نوع P دارای اثر ناچیزی است , تاثیر رشد دانه را بر روی خاصیت پیزورزیستیویته نیز مشاهده می شود.

کلیدواژه ها:

پیزورزیستیو ، دوپینگ ، ناخالصی ، نفوذ ، رشد دانه