خواص مغناطیسی عایق های توپولوژیکی مغناطیسی سه بعدی: اثرات انحنای شش گوشی
محل انتشار: مجله پژوهش فیزیک ایران، دوره: 17، شماره: 5
سال انتشار: 1396
نوع سند: مقاله ژورنالی
زبان: فارسی
مشاهده: 568
فایل این مقاله در 10 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
JR_PSI-17-5_005
تاریخ نمایه سازی: 30 دی 1397
چکیده مقاله:
در این مقاله خواص مغناطیسی عایق های توپولوژیکی سه بعدی آلاییده با اتمهای مغناطیسی بررس ی شده است. قفل شدگی اسپین - مدار الکترونهای سطحی سبب بروز رفتارهای مغناطیسی جالبی میشود که در سیستم های متعارف بدون برهمکنش اسپین- مدار قابل مشاهده نیست. از جمله این خصوصیات میتوان به وابستگی شدید دمای گذار فرومغناطیس - پارامغناطیس سیستم به پارامترهای مختلف آن اشاره کرد. در این مقاله اثرات انحنای شش گوشی را با استفاده از رهیافت میدان متوسط، روی پارامتر نظم، دمای بحرانی، و پذیرفتاری مغناطیسی سیستم مطالعه کردهایم
کلیدواژه ها:
نویسندگان
جهانفر ابویی
دانشکده فیزیک، دانشگاه تحصیلات تکمیلی علوم پایه زنجان، زنجان
مریم مقررجهرمی
دانشکده فیزیک، دانشگاه تحصیلات تکمیلی علوم پایه زنجان، زنجان
سعید عابدین پور
دانشکده فیزیک، دانشگاه تحصیلات تکمیلی علوم پایه زنجان، زنجان