توزیع فضایی جریان الکتریکی تونلی در نانوساختارهای مغناطیسی با یک سد پتانسیل در حضور ناخالصی نقطه ای

در این مقاله توزیع فضایی جریان در سه لایه ای متشکل از یک لایه ی عایق نازک I با ضخامت در حدود نانومتر، میان دو لایه ی فرومغناطیس F در حضور ناخالصی نقطه ای، بررسی شده است. باحل معادله شرودینگر، و با حل دقیق معادله ی دایسون، تابع گرین سیستم محاسبه میشود. باداشتن تابع گرین سیستم، با استفاده از فرمول بندی کوبوتانسوررسانش و در نهایت چگالی جریان الکتریکی در هندسه CCP (جریان، عمود برسطح لایه ها)برای ساختار سه لایه ای محاسبه شده است. در نهایت توزیع فضایی چگالی جریان الکتریکی بر روی سطح لایه ها بر حسب فاصله از مکان ناخالصی برای پیکربندی های مختلف مغناطش در الکترودهای فرومغناطیس و برای کانالهای مختلف اسپینی ترسیم شده است.