افزایش بازدهی سلول های خورشیدی با استفاده از تبدیل فرکانسی فوتون

در این مقاله، تبدیل فرکانسی فوتون بعنوان روشی موثر در افزایش بازدهی سلولهای خورشیدی تشریح شده است. سپس ساختاری مبتنی بر یک سلول تک پیوندی c-Si به همراه یک لایه تبدیل به پایین فوتون جفت شده در وجه بالایی سلول و یک بازتاب کننده پشتی قرار داده شده در وجه زیرین سلول معرفی گردیده است. نتایج شبیه سازی ها، بازدهی برابر 21/46% را برای این ساختار بدست می دهد که نسبت به بازدهی 15/3% برای سلول تکپیوندی ساده c-Si، افزایش 6/16% را نشان می دهد. همچنین نتایج بیانگر بهبود در سایر پارامترهای سلول می باشد.

کلیدواژه ها:

تبدیل فرکانسی ، بازدهی ، سلول خورشیدی ، تبدیل به پایین ، بازتاب کننده پشتی