وابستگی مغناطورسانش الکترونی یک نانو حلقه ی پلی استیلنی به اندازه ی آن

در این مقاله به کمک روش تابع گرین و رهیافت تنگابست، رسانش الکترونی یک نانو حلقه ی پلی استیلنی را در اندازه های متفاوت در حضور و غیاب میدان مغناطیسی بررسی می کنیم. دو موردی از نانو حلقه را که تعداد پیوندهای یگانه و دوگانه در دو مسیر ممکن الکترون یکسان باشد و نباشد، مورد بررسی قرار می دهیم. نتایج نشان می دهد که با افزایش طول نانو حلقه، رسانش تونل زنی در ناحیه ی گاف به صورت نمایی کاهش و تعداد قله های رسانش در ناحیه ی تشدیدی افزایش می یابد. با اعمال میدان مغناطیسی مکان قله های تشدیدی در طیف رسانش جابجا شده و رسانش ناحیه ی تونل زنی نیز تغییر می یابد. بدین صورت که برای نانوحلقه ای با طول ثابت، رسانش تونل زنی به دلیل ارجح شدن یکی از مسیرها، برای موردی که تقارن بین مسیرها از نظر پیوندی وجود ندارد، در حضور میدان نسبت به غیاب آن بهبود می یابد و بالعکس برای موردی که تقارن وجود دارد، تضعیف می شود.

کلیدواژه ها:

نانو حلقه ی پلی استیلنی ، رسانش الکترونی ، تنگابست ، شار مغناطیسی