شبیه سازى و تحلیل مقایسه ای ترانزیستور های JLTFET و JLTFET با هدف تعیین میزان اثر پذیرى شاخص هاى مهم از مهندسى گیت

در این مقاله به ارائه و بررسی ترانزیستور اثر میدانی غیر پیوندی تونلی JLTFET و ترانزیستور اثر میدانی غیر پیوندی JLFET پرداخته شده است که با استفاده از شبیه سازی ایده های مهندسی گیت همچون استفاده از گیت چند فلزی در صدد بهبود پارامترهای الکتریکی ترانزیستور فوق مثل جریان روشنایی، جریان خاموشی، نسبت جریان روشناییبه خاموشی و... هستیم. با بررسی شبیه سازی های صورت گرفته، نتایج ساختارهای مختلف با یکدیگر مقایسه شده و ساختار بهبود یافته معرفی می شود

کلیدواژه ها:

ترانزیستور اثر میدانی غیر پیوندی تونلی ، دی الکتریک ، تابع کار ، جریان روشنایی