ترانزیستورهای اثر میدان نانو لوله کربن
محل انتشار: دهمین کنفرانس دانشجویی مهندسی برق ایران
سال انتشار: 1386
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 5,263
فایل این مقاله در 8 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ISCEE10_015
تاریخ نمایه سازی: 7 آذر 1390
چکیده مقاله:
با توجه به افزایش روز افزون نیاز به تراشه هایی با ابعاد کوچک تر ، استفاده از فناوری های جدید در ساخت ترانزیستورها به عنوان جزء اصلی تراشه ها ضروری به نظر می رسد . نانو تکنولوژی و الکترونیک مولکولی روشی نوین برای ساخت ترانزیستورها در ابعاد کوچک است . در این مقاله ابتدا ساختار الکترونی ، خصوصیات مکانیکی و الکتریکی و همچنین روش های ساخت نانو لوله های کربن بررسی می شود. سپس ترانزیستورهای اثر میدان نانو لوله کربن به لحاظ ساختار هندسی ، روش های ساخت و پیاده سازی و همچنین نحوه عملکرد مورد بحث قرار می گیرند . در ادامه ویژگی های آن ها با خصوصیات ترانزیستورهای اثر میدان سیلیکونی کنونی مقایسه می شود . هر چند ساخت این ترانزیستورها هنوز در مراحل ابتدایی است اما با توجه به مزایای آن ها در سال های آینده شاهد پیشرفت های چشمگیری در این فناوری خواهیم بود .
کلیدواژه ها:
نویسندگان
محمد فرداد
دانشگاه گیلان
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :