اثر بازپخت بر عملکرد آشکارسازهای نوری نیمه رسانای MSM برمبنای نانوذرات InN
محل انتشار: اولین کنفرانس پیشرفتهای نوین در حوزه انرژی
سال انتشار: 1394
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 537
فایل این مقاله در 5 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
CMAES01_058
تاریخ نمایه سازی: 14 آذر 1395
چکیده مقاله:
آشکارسازهای نوری آیندیوم نیتراید با لایه نشانی نانوذرات ایندیوم نیتراید بر روی زیزلایه سیلیکونتوسط دستگاه کندوپاش الکترومغناطیس در دمای محیط و اتمسفری از ترکیبات مختلف گازی ساخته شدند. اتصال های فلزی نقره/ آلومینیوم توسط دستگاه تبخیر حرارتی در خلا Torr؛ (5-)10 در بالا و کف لایه نیمه رسانا ایجاد شد و سپس جهت از بین بردن استرس بین لایه ها و ایجاد ارتباط مطلوب بین فلزات و نیمه هادی عملیات بازیخت روی لایه ها صورت گرفت. عملیات بازپخت در دماهای 200-600 درجه سانتی گراد در اتمسفر نیتروژن صورت گرفت. تأثیرات بازپخت روی مشخصه های ساختاری واپتیکی InN بررسی شد. اندازه گیری های جریان- ولتاژ (I-V) بعد از بازپخت روی لایه ها انجام شد و تأثیر نور در عملکرد آشکارساز نوری InN بدست آمد.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
سارا حشمتیان
استادیار - مرکز آموزش عالی فنی و مهندسی بوئین زهرا، گروه علوم مهندسی، بوئین زهرا، قزوین، ایران
مریم امیرحسینی
استادیار - مرکز آموزش عالی فنی و مهندسی بوئین زهرا، گروه علوم مهندسی، بوئین زهرا، قزوین، ایران
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :