طراحی تحلیل و شبیه سازی یک ترانزیستور اثر میدانی نیمه هادی اکسید فلزی دوگانه بهبود یافته در نرم افزار TCAD SilVaco
سال انتشار: 1401
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 252
فایل این مقاله در 6 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ICNRTEE01_019
تاریخ نمایه سازی: 11 اردیبهشت 1402
چکیده مقاله:
در این مقاله به ارائه و بررسی مقایسه ای یک ترانزیستور اثر میدانی نیمه هادی اکسید فلزی دوگانه (DMOSFET) پرداخته شده است که با استفاده از نرم افزار TCAD Silvaco طراحی و شبیه سازی شده است. این ترانزیستور به ازای سناریوهای گوناگون دفیوژن مورد بررسی قرار گرفته است ترازیستور ارائه شده دارای عرض کانال ۲۰ میکرومتری است و ولتاژ شکست و مقاومت حالت روشن آن به ترتیب ۷۱۹ ولت و ۳۸۳میلی اهم بر سانتیمتر مربع میباشد. هم چنین نرخ روشن /خاموش آن حدود ۴۹۳.۲۵ است بنابراین با توجه به مشخصه های بسیار مناسب افزاره طراحی شده از این ترازیستور در بسیاری از مدارت الکترونیکی و تجهیزات توان میتوان بهره برد
کلیدواژه ها:
نویسندگان
حسین محمدی
دانشگاه رازی، دانشکده برق و کامپیوتر
سجاد ایمانی
دانشگاه رازی، دانشکده برق و کامپیوتر
مزدک رادملکشاهی
دانشگاه رازی، دانشکده برق و کامپیوتر
مهدی منصوری
دانشگاه رازی، دانشکده برق و کامپیوتر